這種缺口是趨勢轉強或者轉弱的標志，一旦形成突破性缺口，通常不會進行回補。③持續(xù)性缺口；這種缺口成為中繼缺口，也就是市場趨勢形成后，經過一段時間的發(fā)展，到了中樞區(qū)域，價格或者指數會產生跳空加速，形成一種中級形態(tài)，后市會繼續(xù)延續(xù)原有的趨勢運行，①普通缺口；一般發(fā)生在成交量較小的情況下，造成這種缺口的原因是市場的參與度比較低，一些較小的交易便導致價格的跳空。

1、股市中的缺口是什么意思？為什么會出現缺口？為什么會有回補缺口一說？

股市中的缺口一般分為四種：①普通缺口；一般發(fā)生在成交量較小的情況下，造成這種缺口的原因是市場的參與度比較低，一些較小的交易便導致價格的跳空。這類缺口對市場預測的意義不大，對市場當前的趨勢以及形態(tài)不會有明顯的改變，②突破性缺口；通常發(fā)生在重要的價格（或點位）區(qū)域，或者發(fā)生在一輪新的格局之初。這種缺口往往發(fā)生在比較重要的位置，而且會伴隨著較大成交量，

這種缺口是趨勢轉強或者轉弱的標志，一旦形成突破性缺口，通常不會進行回補。也就是說，突破性缺口的位置在后市將會成為關鍵的支撐位或者阻力位，③持續(xù)性缺口；這種缺口成為中繼缺口，也就是市場趨勢形成后，經過一段時間的發(fā)展，到了中樞區(qū)域，價格或者指數會產生跳空加速，形成一種中級形態(tài)，后市會繼續(xù)延續(xù)原有的趨勢運行。

2、為什么造芯片是光刻晶圓而不是晶“方”呢？

(1)目前制作半導體集成電路芯片、大規(guī)模半導體集成電路芯片、超大規(guī)模集成電路芯片，所使用的半導體襯底材料，大多是硅單晶（只有在工作頻率特別高的場合下，才使用砷化鎵單晶），這就是晶圓中“晶”字的含義；下面交待晶圓中“圓”字的含義、或者說不叫作晶“方”的原因。(2)自然界中既不存在硅單晶，也不存在單質硅，

集成電路的原材料，要先從石英砂（二氧化硅）做起。①雖然地殼礦物質中，硅元素含量最豐，約28.15%，但幾乎全部為二氧化硅和硅酸鹽之類的化合物，而且世界上只有挪威和巴西的石英砂（二氧化硅）可以作為制作硅單晶的原始材料，其它地方出產的石英砂全不堪用（因為哪怕只有痕跡量的鐵類雜質也是難以摒除的，因而不能采用）。

石英砂的照片見圖1，②高純度二氧化硅經過化學還原反應，生成金屬級別的硅。再將其與氯化氫氣體反應，生成甲硅烷和三氯硅烷等中間化合物；再與高純氫氣發(fā)生化學氣相沉積反應，使超高純度的單質硅析出在多晶硅仔晶棒上，形成多晶硅棒，這時硅的雜質濃度降低到了十億分之一個原子以下，是世界上到目前為止純度最高的人工物質。

接著將多晶硅棒粉碎成適當大小的顆粒，清洗干凈，再根據需要制作的半導體單晶硅襯底的類型，有控制地摻入適當微量的雜質，如果要制成p型半導體襯底，就摻入微量的硼元素；要制成n型半導體，就摻入微量的磷元素或銻元素。摻入量的多少取決于要制作的單晶硅襯底的體電阻率，③然后，將這些摻雜后的多晶硅顆粒放入單晶硅生長設備的石英坩堝內的石墨坩堝中，去拉制單晶硅錠。

常見的兩種單晶硅錠生長方法是提拉法和浮動區(qū)域熔融法，其中后一種方法屬于早期采用的方法，圖2顯示的是單晶硅的拉制過程。圖3是多晶硅變化為單晶硅過程中的硅原子排列模型，圖4是拉制出的紡錘狀單晶硅錠。圖5是通過內圓刀切割紡錘狀單晶硅錠的方法，形成“晶圓”的過程示意圖（橫向切割紡錘體狀單晶硅，切割下來的單晶片無疑應當是晶“圓”片，而不可能是晶“方”片了），

再接下來，將晶圓片倒角、機械研磨、化學研磨、退火、鏡面研磨、清洗，轉入后面的半導體集成電路芯片制作階段。④在同一片晶圓片上，會制作出許許多多一個個完全相同的集成電路（或大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路）芯片，在一整片晶圓片上制作芯片完成后，再將整片晶圓切割成一個個的集成電路芯片，見圖6。最后，才將小小的集成電路芯片封裝進集成電路外殼，見圖7，就是我們常見到的集成電路了，

3、芯片科技產業(yè)為什么會有30萬的人才缺口，動不動上百萬年薪？